销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPB090N06N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1+:¥9.6 10+:¥8.46 25+:¥7.64 100+:¥6.68 250+:¥5.8599 500+:¥5.19991+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 2000+:¥3.6 10000+:¥3.5199 25000+:¥3.4 50000+:¥3. |
 Digi-Key 得捷电子 | IPB090N06N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1+:¥9.6 10+:¥8.46 25+:¥7.64 100+:¥6.68 250+:¥5.8599 500+:¥5.1999 |
 Mouser 贸泽电子 | IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 1:¥7.8422 10:¥6.7235 100:¥5.1641 500:¥4.5652 1,000:¥3.6047
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 Mouser 贸泽电子 | IPB090N06N3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1+:¥9.6 10+:¥8.46 25+:¥7.64 100+:¥6.68 250+:¥5.8599 500+:¥5.19991+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 2000+:¥3.6 10000+:¥3.5199 25000+:¥3.4 50000+:¥3.3301 |
 立创商城 | IPB090N06N3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 34uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.05 200+:¥2.35 500+:¥2.26 1000+:¥2.22
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