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IPB090N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G的规格信息
IPB090N06N3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPB090N06N3GATMA1 IPB9N6N3GXT SP000398042

单位重量:4 g

供应商IPB090N06N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB090N06N3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
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13352985419,19076157484
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB090N06N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB090N06N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB090N06N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB090N06N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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15989349634,13798567707
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集好芯城IPB090N06N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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IPB090N06N3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 34uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO687.98 Kbytes共10页IPB090N06N3 G的PDF下载地址
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IPB090N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A1+:¥9.6
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
IPB090N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
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Mouser 贸泽电子
IPB090N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A1+:¥9.6
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立创商城
IPB090N06N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 34uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.05
200+:¥2.35
500+:¥2.26
1000+:¥2.22